JPH0580650B2 - - Google Patents

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JPH0580650B2
JPH0580650B2 JP60027394A JP2739485A JPH0580650B2 JP H0580650 B2 JPH0580650 B2 JP H0580650B2 JP 60027394 A JP60027394 A JP 60027394A JP 2739485 A JP2739485 A JP 2739485A JP H0580650 B2 JPH0580650 B2 JP H0580650B2
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JP
Japan
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film
electrode
tft
source
layer
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Application number
JP60027394A
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English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPS61185724A (ja
Inventor
Kohei Kishi
Mitsuhiro Koden
Fumiaki Funada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Priority to DE19863604368 priority patent/DE3604368A1/de
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Priority to GB08603522A priority patent/GB2172745B/en
Publication of JPS61185724A publication Critical patent/JPS61185724A/ja
Publication of JPH0580650B2 publication Critical patent/JPH0580650B2/ja
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US06/829,001 US4684435A (en) 1985-02-13 1986-02-13 Method of manufacturing thin film transistor
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